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                【美格纳】发布第三代 200V MV MOSFET

                2022 年 9 月 6 日, 美格纳半导体(以下简称“美格纳”)宣布公司推出了其第三代 200V 中压 (MV) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),此款产品适用于轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和工业电源。

                美格纳发布第三代 200V MV MOSFET

                为了最大限度地提高电源设备的能效,美格纳的新型 200V MOSFET 融入了第三代沟槽 MOSFET 技术。与先前版本的 100V MV MOSFET 相比,此款产品的电容量降低了 50%,并且晶胞和封端的设计得到增强,有助于降低 RDS(on)* 和总栅极电荷量 **,展现出本产品的高品质因数。

                这些第三代 MOSFET 还适用于表面贴装的 TO-Leadless (TOLL) M2PAK 封装和通孔类型的 TO-220,可降低产品尺寸并增强散热能力。此外,由于可进行快速开关并且具有高功率密度,这些 MOSFET 的能效得到进一步增强。加上从 -55°C 到 175°C 的工作结温和出色的雪崩能力,这些 MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。

                据全球市场调研公司 Omdia 估测,在全球硅电源 MOSFET 市场中,汽车和工业领域的年增长率从 2020 年到 2025 年将分别为 11.5% 和 9.6%。特别是,为了加快碳减排以及对高能效经济型车辆需求的提升,LEV 市场正在快速扩大。

                “汽车和工业领域中先进应用的开发推动了对高性能 MV MOSFET 需求,”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将持续升级 MV MOSFET 产品线,包括从 40V 到 200V 的整个产品范围,以支持我们的客户增强其产品竞争力。”

                美格纳 200V MV MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。

                *RDS(on):通态电阻,即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

                **总栅极电荷量 (Qg):需要注入栅电极以开启(驱动)MOSFET 的电荷量

                 

                产品特性

                • 低 RDS(on) 和开关损耗

                • 出色的散热性能

                • 从 -55°C 到 175°C 的工作结温

                • 适用于各种应用,例如 LEV、电源管理系统和开关电源

                 
                 
                 
                 
                 

                 

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                创建时间:2022-09-08